《سامسونج إلكترونيكس 》تبدأ الإنتاج الضخم لأول ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت للهواتف الذكية الرائدة والفاخرة من الجيل التالي

《سامسونج إلكترونيكس 》تبدأ الإنتاج الضخم لأول ذاكرة وصول عشوائي LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت للهواتف الذكية الرائدة والفاخرة من الجيل التالي

توفّر ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية منخفضة الطاقة وذات معدل البيانات المزدوجة بسعة 16 ميجابايت أعلى أداء وأعلى سعة على الإطلاق بالاعتماد على تقنية المعالجة من الجيل الثاني من سامسونج التي تبلغ 10 نانومتر

(عمّان، 08 آذار 2020): أعلنت شركة "سامسونج إلكترونيكس" المحدودة، الشركة الرائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة، عن بدء إنتاج أول وأحدث رقاقات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية منخفضة الطاقة، وذات معدل البيانات المزدوجة بسعة 16 ميجابايت، التي يشار إليها عادةً باسمLPDDR5 DRAM ، والتي تستهلك طاقة أقل، ما يجعلها مثالية للاستخدام في تصميم الجيل القادم من أجهزة الهواتف الذكية الرائدة والفاخرة.
ومع هذه الخطوة التي قامت معها "سامسونج" بتطوير سعة رقاقاتها من 12 إلى 16 جيجابايت في غضون ستة أشهر فقط، بعدما بدأت الإنتاج الضخم والأول في العالم لرقاقة LPDDR5 بسعة 12 جيجابايت في شهر تموز عام 2019، فإنها ستحدث نقلة نوعية في سوق رقائق الذاكرة المخصصة للهواتف الذكية الرائدة والفاخرة؛ إذ أنها توفر سعة إضافية تعزز من ميزات الهواتف الذكية التي تدعم الجيل الخامس وخاصية الذكاء الاصطناعي AI المحسنة، وبالتالي تعزيز ميّزة التصوير الذكي وعرض الألعاب الغنية بالرسومات.
وفي تعليق له على هذه الخطوة، قال نائب رئيس قسم مبيعات وتسويق رقائق الذاكرة في شركة "سامسونج إلكترونيكس"، تشول تشوي: "تؤكّد هذه الخطوة على التزام شركة "سامسونج إلكترونيكس" بالاستمرار في تطوير تقنيات الذاكرة وإتاحة الفرصة للمستهلكين للاستمتاع بتجارب مذهلة عبر أجهزة الهواتف الذكية الخاصة بهم. ونؤكّد في سامسونج على التزامنا بتقديم أحدث الحلول المبتكرة لمصنعي الأجهزة المحمولة بما فيها الهواتف الذكية، والحواسيب الشخصية، والأجهزة اللوحية في جميع أنحاء العالم." وأضاف تشوي: "ستعمل سامسونج بجدّ لمواصلة تلبية حجم الطلب المتزايد على رقائق الذاكرة من قِبل الزبائن حول العالم، حيث ستقوم الشركة بطرح تشكيلة منتجات جديدة تعتمد على تقنية الجيل التالي في وقت لاحق من هذا العام."
ويصل معدّل نقل البيانات لرقاقة الذاكرة LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت إلى 5500 ميجابايت في الثانية، أي أسرع بنحو 1.3 مرة بالمقارنة مع رقاقة الذاكرة السابقة،LPDDR4X ، والتي يصل معدل نقل البيانات فيها إلى 4266 ميجابايت في ثانية. ومقارنةً بحزمة LGBDDR4X سعة 8 جيجابايت، توفر ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية منخفضة الطاقة DRAM الجديدة أكثر من 20% من استهلاك الطاقة مع تقديم ما يصل إلى ضعف الطاقة والسعة.
هذا وتتكون حزمة DRAM للهواتف الذكية من "سامسونج" بسعة 16 جيجابايت من ثماني شرائح بسعة 12 جيجابايت وأربع شرائح بسعة 8 جيجابايت، لذا فإنها تتميّز بقدرتها على تزويد الهواتف الذكية الرائدة بضعف سعة DRAM الموجودة في العديد من أجهزة الحاسوب الشخصية وأجهزة الحاسوب المخصصة للألعاب. وإلى جانب الأداء السريع، تقدّم حزمة DRAM أكبر سعة في قطاع صناعة رقائق الذاكرة ما يعزز تجربة اللعب الغامرة على الهواتف الذكية، إذْ أنها تدعم اللعب الديناميكي وسريع الاستجابة، بالإضافة للرسومات فائقة الدقة على الهواتف الذكية الرائدة.

وبينما تواصل "سامسونج" التوسع في إنتاج ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية منخفضة الطاقة للهواتف الذكية LPDDR5 DRAM في مصنعها الخاص في مدينة بيونجتايك، في كوريا الجنوبية، تخطط الشركة للإنتاج بكثافة وبكميات ضخمة من ذاكرة LPDDR5 بسعة 16 جيجابايت معتمدة على تقنية معالجة الجيل الثالث من فئة10nm-class (1z) في النصف الثاني من هذا العام، وذلك تماشياً مع تطور صناعة الرقائق بسعة 6400 ميجابايت في الثانية. ومن المتوقع أن يعزز هذا الابتكار الجديد كلياً والذي لا مثيل له من مكانة شركة "سامسونج"، وقدرتها التنافسية في العديد من الأسواق على مستوى العالم، خاصةً في أسواق الهواتف الذكية الرائدة، وأجهزة الحاسوب المتطورة، بالإضافة إلى سوق تطبيقات المركبات.
-انتهى-

 

مرجع لتاريخ إنتاج رقائق ذاكرة DRAM التي تستهدف الهواتف الذكية من "سامسونج":

تاريخ الإنتاج السعة الطراز
كانون الأول 2019 16 جيجابايت 10nm-class 12Gb+8Gb LPDDR5, 5500Mb/s
أيلول 2019 12 جيجابايت 10nm-class 24Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
تموز 2019 12 جيجابايت 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
حزيران 2019 6 جيجابايت 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s
شباط 2019 12 جيجابايت 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
تموز 2018 8 جيجابايت 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
نيسان 2018 8 جيجابايت 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s
أيلول 2016 8 جيجابايت 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s
آب 2015 6 جيجابايت 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s
كانون الأول 2014 4 جيجابايت 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s
أيلول 2014 3 جيجابايت 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
تشرين الثاني 2013 3 جيجابايت 20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s
تموز 2013 3 جيجابايت 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
نيسان 2013 2 جيجابايت 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s
آب 2012 2 جيجابايت 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s
2011 ½ جيجابايت 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s
2010 512 ميجابايت 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s
2009 256 ميجابايت 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s

حول شركة سامسونج للإلكترونيات المحدودة
تعتبر شركة سامسونج للإلكترونيات المحدودة رائداً عالمياً ملهماً يساهم في رسم معالم المستقبل من خلال أفكار وتقنيات ثورية مبتكرة. وتعمل الشركة على إعادة صياغة عالم أجهزة التلفاز والهواتف الذكية والأجهزة القابلة للارتداء والأجهزة اللوحية والأجهزة المنزلية الرقمية وأنظمة الشبكات وأشباه الموصلات وحلول الإضاءة إل إي دي LED. للحصول على أحدث الأخبار يرجى زيارة غرفة أخبار سامسونج من خلال الرابط: news.samsung.com.